SJ 50033.32-1994 半导体分立器件.3DK312型功率开关晶体管详细规范
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ID： |
F7B07C21473E42C584BAD0058490CBBB |
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文件大小(MB)： |
0.46 |
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页数： |
11 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/32-94,半导体分立器件,3DK312型功率开关晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type 3DK312 power,switching transistor,1994-09-30发布1994-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,ww. bzfxw. com下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件3DK312型功率,开关晶体管详细规范,SJ 50033/32-94,Semiconductor discrete device Detail,specification for type 3DK312 power switching transistor,范围,1.I主题內容,本规范规定了 3DK312型功率开关晶体管（以下简称器件）的详细要求,1-2适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33（半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4587-84双极型晶体管测试方法,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GB 11499 - 89半导体分立器件文字符号,GJB 33 - 85 半导体分立器件总规范,GJB 128 -86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐。引出端表面应为锡层或银层,3.2.2 器件结构,采用三重扩散台面结构,中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01 实施,SJ 50033/32-94,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合GB 758I的B2-01C型及如下的规定（见图1）,图1 3DK312外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.I 最大额定值,型号,P3,TC = 25V,(W),%BO,(V),Von,(V) (V),［匸,(A),レ,(A),厶,(V),丁用,(10),3DK312 140 1100 900 15 5 2 -55-175 ?55-175,注::!）Tc > 25V时,按。,93W/C的速率线性地降额,3.3.2 主要电特性（7\ = 25C）,—2 —,SJ 50033/32—94,'、ぐ,、限,X值,型母、,%FE,U5V,2C = O.5A,Q = 0.5A,3 0」A,(V),fc = 0,5A,1B = O JA,(V),G*,ムE0,f エ !MHz,(P?),最小值最大值最大值,3DK312 15 60 0.25 1.0 700,、限,X值,型, エ5 し,251c《1c475匕,几=2A,忆= 10V,(C/W),【『L0A,二ーム2 = 〇.2A,（mS）,最大值最大值,3DK312 0.85 6.50 2.00 L07,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 458y及本规范的规定,3.5 标:志,标志应符合GJB 33和本规范的规定,4质过保证规定,4.1 抽样和检验,抽样和检验按GJB 33的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验按GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJE 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范,表1极限值的器件应予以剔除,筛 选,（见GJB 33的表2）,■ 测试或试验,7.中间电参数测试ICERI和人所,8.功率老化,公 匸 162.5 土 12.5匕,VCE = 50V,9.最后测试,按本规范表1的A2分组,ム【CERI言初始值的100%或50必取较大者,从阳=初始值的士20%,4.4 质量一致性检脸,质量一致性检验应按GJB 33的规定,3,SJ 50Q33/32-94,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4.4.2 B组检验,B詛检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4.3 C组检验,C组检段应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4.5 检验方法,檢验方法应按本规范相应的表和下列规定。.,4.5.I 脉冲测试 ’,脉冲测试条件应按GJB 128的3.3.2,1的规定,表1 A组检验,检验或试验,GE 4587,LTPD 符号,极限值,单位,方法条 件最小償最大值,A1分组,外观及机械试验GJB 128,2071,5,A2分组,棗电梃ー发射极击穿电压,巢电极ー发射极截止电潴,正向电流传输比,桌电极ー发射极饱和电压,基极ー发射极饱和电压,本规范,附录A,2.1,2.8,2.3,上,基板ー发射板开路,f匸匚5mA,R : toon,VCE - 9QCV,Vce = 5V,I匚エC45A,脉冲法,（见4.5」）,Ic = 0.5A,fa = 011A,脉冲法,（见 4,5,1）,Ic = 0,5A,Fr = 0.1A,脈冲法（见4.5.1）,5,厶 MICE,『CER1,hfEl,VcE&t],Vbef旬）,）900,15,1（H）,60,0.25,LQ,V,V,V,A3分组,高温工作,集电极ー发射极截止电流,低温工作,正向电流传输比2.8,t,Ta= 125 ± 5 V,Vra = 9O0V,R = icon……
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